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J-GLOBAL ID：200902295374971346   整理番号：08A0565377

位相変調エキシマレーザ結晶化のプロセスウィンドウを広げる新しい光学法

Novel Optical Method for Widening Process Window of Phase-Modulated Excimer Laser Crystallization

著者 (5件)： TANIGUCHI Yukio (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  ENDO Takahiko (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  AZUMA Kazufumi (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  MATSUMURA Masakiyo (Advanced LCD Technol. Dev. Center Co., Ltd., Yokohama, JPN) ,  ISHIWARA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 2 Issue 1  ページ： 947-955  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si薄膜の”位相変調エキシマレーザアニーリング”法の広いプロセスウィンドウを実現した。アニーリングシステムの光学経路内部に新しく導入した結晶石英板の複屈折効果から生じる通常光と異常光によって,位相変調器の一対の射影像が生成する。それらの距離を変調器パターンピッチの半分になるよう調整して,ピンぼけのため対となった像に現れる不要な変形が互いに相殺し,その結果,試料表面に安定な重畳した像(光強度プロフィル)が得られる。光学シミュレーションと実験により,この”2重像法”によって焦点深度が2μm以下から約±6μmと幅広くなることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *エキシマレーザ ,  石英 ,  複屈折 ,  位相変調 ,  焦点深度 ,  *結晶化 ,  許容範囲 ,  レーザ照射 ,  *非晶質半導体 ,  プロセスウィンドウ ,  許容限界 ,  限界

分類 (1件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O)

引用文献 (16件)：

• M. Matsumura and C. H. Oh: Thin Solid Films 337(1999)123.
• J. S. Im and R. S. Sposili: MRS Bull.21(1996) No.3, 39.
• K. Masumo, N. Kato, and M. Kunigita: AM-LCD ’97 Dig., 1997, p. 183.
• S. W. Lee and S. K. Joo: IEEE Electron Device Lett.17(1996)160.
• M. Hatano, T. Shiba, and M. Ohkura: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 33(2002)158.

タイトルに関連する用語 (5件)： 位相変調 ,  エキシマレーザ ,  結晶化 ,  プロセスウィンドウ ,  光学