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J-GLOBAL ID：200902295992260370   整理番号：08A0657859

集束イオンビーム誘起化学蒸着により成長させた炭素ナノピラーのYoung率の高さ依存性

Height Dependence of Young’s Modulus for Carbon Nanopillars Grown by Focused-Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition

著者 (8件)： NONAKA Keiichiro (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  NONAKA Keiichiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAMARU Kojiro (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TAMARU Kojiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGASE Masao (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  YAMAGUCHI Hiroshi (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  WARISAWA Shin’ichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA Sunao (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 6 Issue 2  ページ： 5116-5119  発行年： 2008年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気体フェナントレンを原料物質に用いた集束イオンビーム誘起化学蒸着で成長させた炭素ナノピラーのYoung率の高さ依存性を調べた。異なる高さの炭素ナノピラーを異なる成長時間及び固定したイオンビーム焦点により成長させた。成長高さは3.6~35.6nmであった。ピラーの底の直径は約100nmで,成長の進展と共に増加した。均一及び不均一モデルを用いて機械振動に対する共振周波数からナノピラーのYoung率を評価した。何れのモデルでも成長の高さによりYoung率が異なった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 集束イオンビーム ,  Young率 ,  *ナノ構造 ,  *化学蒸着 ,  依存性 ,  炭素 ,  共振周波数 ,  走査電子顕微鏡 ,  MEMS ,  芳香族縮合炭化水素 ,  *ナノピラー ,  高度依存性
準シソーラス用語： 高さ依存性

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

物質索引 (1件)： フェナントレン

引用文献 (13件)：

• K. L. Elcinci and M. L. Roukes: Rev. Sci, Instrum.76(2005)061101.
• E. W. Wong, P. E. Sheehan, and C. M. Lieber: Science 277(1997)1971.
• P. Poncharal, Z. L. Wang, D. Ugarte, and W. A. de Beer: Science 283(1999)1513.
• X. Li, T. Ono, Y. Wang, and M. Esashi: Appl. Phys. Lett.83(2003)3081.
• J. Fujita, M. Ishida, T. Sakamoto, Y. Ochiai, T. Kaito, and S. Matsui: J. Vac. Sci. Technol. B 19(2001)2834.

タイトルに関連する用語 (8件)： 集束イオンビーム ,  誘起 ,  化学蒸着 ,  成長 ,  炭素 ,  ナノピラー ,  Young率 ,  高さ依存性