有機金属気相エピタクシーによるZrB<sub>2</sub>基板上でのGaNの成長

TOMIDA Y; NITTA S; KAMIYAMA S; AMANO H; AKASAKI I; OTANI S; KINOSHITA H; BELL A; PONCE F A

文献

J-GLOBAL ID：200902296936714550 整理番号：03A0506061

有機金属気相エピタクシーによるZrB₂基板上でのGaNの成長

Growth of GaN on ZrB₂ substrate by metal-organic vapor phase epitaxy

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0506061&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0506061&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 216 号： 1/4 ページ： 502-507 発行年： 2003年06月30日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により,金属性二ほう化...

,...
,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0506061&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

半導体薄膜 , 半導体-金属接触

, ,

前のページに戻る

有機金属気相エピタクシーによるZrB2基板上でのGaNの成長

有機金属気相エピタクシーによるZrB₂基板上でのGaNの成長