文献

J-GLOBAL ID：200902298343014202   整理番号：04A0368644

InP基板上に成長したInGaAsSbN量子井戸ダイオードの2.43μm光放出

2.43 μm Light Emission of InGaAsSbN Quantum Well Diodes Grown on InP Substrates

著者 (5件)： KAWAMURA Y (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAGAWA T (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  AMANO M (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  OUCHI K (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE N (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 4B  ページ： L530-L532  発行年： 2004年04月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2μm波長領域で運用するInGaAsSbN量子井戸ダイオード...

シソーラス用語： ヒ化物 ,...

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分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (14件)：

• 1) J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, G. L. Belenky, D. Z. Garbuzov and W. K. Chan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3146.
• 2) M. Oishi, M. Yamamoto and K. Kasaya: IEEE Photon. Technol. Lett. 9 (1997) 431.
• 3) G. K. Kuang, G. Bohm, M. Grau, G. Rosei, R. Meyer and M.-C. Amann: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1091.
• 4) M. Peter, R. Kiefer, F. Fuchs, N. Herres, K. Winkler, K.-H. Bachem and J. Wagner: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1951.
• 5) H. Takasaki, Y. Kawamura, T. Katayama, A. Yamamoto and N. Inoue: J. Cryst. Growth 227/228 (2001) 294.

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  成長 ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  光放出