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J-GLOBAL ID：200902298613648810   整理番号：09A1035325

6H-SiC(0001)Si面の熱分解と水素エッチング速度のその場重量測定監視

In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001) Si Face

著者 (9件)： AKIYAMA Kazuhiro (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  ISHII Yasuhiro (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  ABE Sohei (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUMAGAI Yoshinao (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  OKUMURA Hironori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 1  ページ： 095505.1-095505.4  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC(0001)Si表面の熱分解と水素エッチングをその場重量測定監視装置を用いて直接監視した。この装置を用いた6H-SiC Si面の重量変化の監視から基板温度への熱分解と水素エッチング速度の依存性を明らかにした。6H-SiC Si面の1400°C以上での熱分解ではSi原子のみが表面から直接脱着するので黒鉛層を生成したが,水素による6H-SiC Si面のエッチングではこの層が形成されず,Si原子とC原子が水素と反応した。また,H₂による6H-SiC Si面の表面反応とその帰結としての表面形態は1250°C付近で変化することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  加工速度 ,  *熱分解 ,  水素 ,  重量測定 ,  監視装置 ,  基板温度 ,  脱着 ,  表面反応 ,  表面構造 ,  *エッチング ,  表面形態 ,  *6H-炭化ケイ素 ,  構造
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  エッチング速度

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (24件)：

• K. Hamada: Phys. Status Solidi B 245(2008)1223.
• N. Onojima, J. Suda, and H. Matsunami: J. Cryst. Growth 237-239(2002)1012.
• K. Balakrishnan, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys.46(2007) L307.
• M. hnura, H. Sugimura, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, and A. Bandoh: J. Cryst. Growth 310(2008)2308.
• Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 43(1978)209.

タイトルに関連する用語 (6件)： 6H-SiC ,  Si ,  熱分解 ,  水素 ,  エッチング速度 ,  重量測定