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J-GLOBAL ID：200902299669091173   整理番号：05A0696836

長いメモリ保持時間を持つセルフアラインゲート金属/強誘電体/絶縁体/半導体電界効果トランジスタ

Self-Aligned-Gate Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field-Effect Transistors with Long Memory Retention

著者 (2件)： TAKAHASHI Mitsue (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SAKAI Shigeki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 24-27  ページ： L800-L802  発行年： 2005年07月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セルフアラインゲートPt/SrBi₂T...

シソーラス用語： 白金 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• 1) Y. Tarui, T. Hirai, K. Teramoto, H. Koike and K. Nagashima: Appl. Surf. Sci. 113–114 (1997) 656.
• 2) C. L. Sun, S. Y. Chen, C. C. Liao and A. Chin: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4726.
• 3) T. Li, S. T. Hsu, B. D. Ulrich, L. Stecker, D. R. Evans and J. J. Lee: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 339.
• 4) T. Y. Tseng and S. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 981.
• 5) T. Hirai, Y. Fujisaki, K. Nagashima, H. Koike and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5908.

タイトルに関連する用語 (4件)： 保持時間 ,  強誘電体 ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ