半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308686
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135350
出願日： 1996年11月04日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 CMOS回路におけるしきい値電圧の偏りを是正する。【解決手段】短チャネル効果によるしきい値電圧の減少および狭チャネル効果によるしきい値電圧の増加を利用して、Nチャネル型半導体装置とPチャネル型半導体装置のしきい値電圧を別々に制御する。この時、Nチャネル型半導体装置のしきい値電圧を増加させ、Pチャネル型半導体装置のしきい値電圧を減少させることで、両者のしきい値電圧の絶対値を概略同一のものとする。

請求項（抜粋）：

Nチャネル型半導体装置およびPチャネル型半導体装置とを相補的に組み合わせたCMOS構造を有する半導体装置において、前記Nチャネル型半導体装置および前記Pチャネル型半導体装置のしきい値電圧の絶対値が概略同一となる様に、前記Nチャネル型半導体装置には狭チャネル効果を強める手段が施され、前記Pチャネル型半導体装置には短チャネル効果を強める手段が施されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-043407 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-113447 出願人：セイコー電子工業株式会社
特開昭60-134468

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