強誘電体メモリ素子及びそれを備えた電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邊隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073091
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353421
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 50nm以下の薄い膜厚領域において、高い分極モーメント及び高いキュリー温度を有する強誘電体メモリ素子及びこの素子を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】三方晶のBaTiO<SB>3</SB>を擬立方晶<111>に配向させて記録層3とする。このBaTiO<SB>3</SB>の結晶構造を擬立方晶<111>方向に、バルクに比べて2%以上ひきのばすことで、分極モーメント及びキュリー温度を高める。記録層3の結晶構造をひずませるためには下地層となる電極層2に対するエピタキシャル成長を用いる。このような記録層を備えた強誘電体メモリ素子。このような強誘電体メモリ素子を備えた電子機器。

請求項（抜粋）：

三方晶のBaTiO<SB>3</SB>を擬立方晶<111>方向に配向させて記録層とし、前記記録層における擬立方晶<111>方向の分極モーメントを信号の記録読み出しに利用することを特徴とする強誘電体メモリ素子。

FI (2件)：

H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 444 Z

Fターム (14件)：

5F083FR00 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083FR03 , 5F083GA21 , 5F083HA08 , 5F083JA14 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA47 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (5件)

誘電体キャパシタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-311152 出願人：株式会社東芝
薄膜キャパシタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-238088 出願人：株式会社東芝
記録媒体及び記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-272953 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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