特許
J-GLOBAL ID：200903062532181330

半導体装置の製造方法、強誘電体キャパシタ、およびその製造方法

発明者：
朱 莎

朱 莎 について

, 
能代 英之

能代 英之 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258794
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091511
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造において、強誘電体膜の自発分極を最大化する。【解決手段】 下側電極を形成後、強誘電体膜を堆積する前に、前記下側電極を不活性雰囲気中において急速熱処理する。
請求項（抜粋）：
強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、基板上に下側電極を形成する工程と、前記下側電極を急速熱処理する工程と、前記急速熱処理工程の後、前記下側電極上に強誘電体膜を堆積する工程と、前記強誘電体膜を熱処理し、結晶化する工程と、前記強誘電体膜上に上側電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651
Fターム (16件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM