特許

J-GLOBAL ID：200903000026666185

アパタイト被覆基材の製造方法及びアパタイト被覆基材の製造装置

発明者： 浅井 滋生 ,  興戸 正純 ,  佐々 健介 ,  井上 幸治
出願人/特許権者： 独立行政法人 科学技術振興機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-319001
公開番号（公開出願番号）：特開2004-149386
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】配向を選択してアパタイト被覆を製造できる、アパタイト被覆基材の製造方法及びアパタイト被覆基材の製造装置を提供する。【解決手段】基材5に磁場を印加しながらアパタイト被膜を形成し、磁場の強度、方向、または、時間などを組み合わせて制御して形成することにより、アパタイト被膜の特定の結晶軸を基材5にほぼ垂直な方向、または、ほぼ平行な方向に配向させて形成する。製造装置1は、アパタイト原料を溶解した水溶液2を入れた容器3と、容器3の周囲に配置した超伝導電磁石4と、水溶液2内の基材5と、基材5を加熱する電源8から構成される。印加磁場を、1T〜12Tとして、基材5を磁場とほぼ平行方向及びほぼ垂直方向に配置すれば、それぞれ、c面とa,b面に配向したアパタイト被膜が効率よく形成できる。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

水中熱基板法を用いて、基材に磁場を印加しながらアパタイト被膜を形成する方法であって、 上記磁場の強度、その印加方向、その印加時間の何れか、または、これらを組み合わせて制御して形成することにより、 上記アパタイト被膜の特定の結晶軸を上記基材の表面にほぼ垂直な方向、または、ほぼ平行な方向に配向させて形成することを特徴とする、アパタイト被覆基材の製造方法。

IPC (2件)：

C01B25/32 ,  C30B29/16

FI (4件)：

C01B25/32 B ,  C01B25/32 P ,  C01B25/32 W ,  C30B29/16

Fターム (5件)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BD01 ,  4G077CB02 ,  4G077EJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 水酸アパタイト被膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-275180   出願人：ユケン工業株式会社, 興戸正純, 市野良一
• 配向性セラミックス焼結体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-144049   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 強磁場印加によるハイドロキシアパタイトの結晶配向