特許
J-GLOBAL ID：200903000051734926
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370787
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174083
出願日： 2001年12月05日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 CuやCu合金を配線材料に用いながらも、金属膜やSiN膜との密着性を悪化させることなく、配線間スペースにフッ素添加酸化膜を形成し、特に狭スペース部での配線間容量を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本製造方法は、シリコン基板11上に下部酸化膜12及び配線分離酸化膜22を順次形成した後、配線分離酸化膜22に、下部酸化膜12を露出させる配線溝23を形成する工程と、配線溝23内を含む配線分離酸化膜22上にCuめっき層24cを形成した後、CMPでCuめっき層24cを研磨し、埋め込み構造の金属配線24を形成する工程と、配線分離酸化膜22を除去し、金属配線24及び下部酸化膜12を露出する工程と、金属配線24を含む下部酸化膜12上に、金属配線24間の絶縁膜としてHDP-FSG膜27を形成する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
基板上に第1及び第2の絶縁膜を順次形成した後、前記第2の絶縁膜に、前記第1の絶縁膜を露出させる配線溝を形成する第1の工程と、前記配線溝内を含む前記第2の絶縁膜上に金属材料層を形成した後、化学機械研磨によって前記金属材料層を研磨し、埋め込み構造の金属配線を形成する第2の工程と、前記第2の絶縁膜を除去し、前記金属配線及び前記第1の絶縁膜を露出する第3の工程と、前記金属配線を含む前記第1の絶縁膜上に、前記金属配線間の絶縁膜としてフッ素添加酸化膜を形成する第4の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (23件)：
5F033HH32
, 5F033JJ11
, 5F033JJ32
, 5F033KK11
, 5F033KK32
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR11
, 5F033RR29
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033XX24
