特許
J-GLOBAL ID：200903000055381050
半導体シリコンウェ-ハとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203999
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 CZ法により成長させたシリコン単結晶ウェーハ表面におけるCOP及び表層数μm深さのCOPの発生源であり、八面体ボイドからなるGrown-in欠陥を効果的に消滅させたシリコン単結晶ウェーハとその製造方法の提供。【解決手段】 窒素をドープしてCOP及びボイドのサイズを縮小し、水素及び/又は不活性ガス雰囲気下の熱処理で、表面近傍の酸素を外方拡散させて、酸素の未飽和領域を形成して表面近傍の八面体ボイドの内壁酸化膜を除去した後、酸素または酸素と不活性ガスの混合ガス雰囲気での酸化熱処理を行うことにより、強制的に格子間シリコン原子を注入し、表面近傍の八面体ボイドを完全に消減させ、同時にウェーハ内部にIG層を形成することができ、これまでの水素及びアルゴンに代表される不活性ガス雰囲気での熱処理のみでは完全に消滅させることができなかったGrown-in欠陥を、表面から10μm程度までほぼ完全に消滅させることができる。
請求項（抜粋）：
窒素をドープしたシリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハに、水素及び/または不活性ガス雰囲気下の熱処理を施し、表面から所要深さまでのボイド欠陥(Grown-in欠陥)の内壁酸化膜を除去した後、酸化熱処理を行い強制的に格子間シリコン原子を注入させることにより、Grown-in欠陥を消滅させる半導体シリコンウェーハの製造方法。
IPC (5件)：
C30B 33/02
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
, H01L 21/322
, H01L 21/324
C30B 33/02
, C30B 29/06 502 H
, H01L 21/208 P
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/324 X
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077FE03
, 4G077FE05
, 4G077FE11
, 5F053AA12
, 5F053AA13
, 5F053AA19
, 5F053BB04
, 5F053BB13
, 5F053DD01
, 5F053FF04
, 5F053GG01
, 5F053KK10
, 5F053PP03
, 5F053PP05
, 5F053RR03
