特許
J-GLOBAL ID：200903000128475538

半導体装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130958
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094115
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 動作性能および信頼性の高い半導体装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】 駆動回路を形成するnチャネル型TFT302に設けられたLDD領域207はホットキャリア注入に対する耐性を高める。また、画素部を形成するnチャネル型TFT(画素TFT)304に設けられたLDD領域217〜220はオフ電流値の低減に大きく寄与する。この時、駆動回路のnチャネル型TFTのLDD領域は、隣接するドレイン領域に近づくにつれてn型不純物元素の濃度が高くなるように形成されている。
請求項（抜粋）：
同一基板上に画素部と駆動回路とを少なくとも含む半導体装置において、前記駆動回路を形成するnチャネル型TFTのLDD領域は、少なくとも一部または全部が、該nチャネル型TFTのゲート電極と重なるように形成され、前記画素部を形成する画素TFTのLDD領域は、該画素TFTのゲート電極と重ならないように形成され、前記駆動回路を形成するnチャネル型TFTのLDD領域に含まれるn型不純物元素の濃度は、該LDD領域に隣接するドレイン領域に近づくにつれて高くなる領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 M ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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