特許
J-GLOBAL ID:200903046619438057
スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-345433
公開番号(公開出願番号):特開2001-168414
出願日: 1999年12月03日
公開日(公表日): 2001年06月22日
要約:
【要約】【課題】 大きな磁気抵抗変化率を示し、外部磁界の感度が良好なスピンバルブ型薄膜磁気素子を提供する。【解決手段】 反強磁性層30と、反強磁性層30に接して反強磁性層30との交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層25と、固定磁性層25に接する非磁性導電層29と、非磁性導電層29に接する第2フリー磁性層22と、第2フリー磁性層22に接する非磁性中間層23と、非磁性中間層23に接するとともに第2フリー磁性層22と反強磁性的に結合して、第2フリー磁性層22とともにフェリ磁性状態を形成する第1フリー磁性層21と、第1フリー磁性層21に接して第1フリー磁性層21よりも導電性が高いバックド層61とが積層されてなる積層体11を備えたスピンバルブ型薄膜磁気素子1を採用する。
請求項(抜粋):
反強磁性層と、該反強磁性層に接して前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定された固定磁性層と、該固定磁性層に接する非磁性導電層と、該非磁性導電層に接する第2フリー磁性層と、該第2フリー磁性層に接する非磁性中間層と、該非磁性中間層に接するとともに前記第2フリー磁性層と反強磁性的に結合して、該第2フリー磁性層とともにフェリ磁性状態を形成する第1フリー磁性層と、該第1フリー磁性層に接して前記第1フリー磁性層よりも導電性が高いバックド層とが積層されてなる積層体を備えたことを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
IPC (4件):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
FI (4件):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/32
, G01R 33/06 R
Fターム (19件):
2G017AA01
, 2G017AD43
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 2G017BA05
, 2G017CB24
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034CA04
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049CC01
, 5E049DB12
引用特許: