特許
J-GLOBAL ID：200903000166482998

成膜方法、圧電膜、及び圧電素子

発明者：
藤井 隆満

藤井 隆満 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-230998
公開番号（公開出願番号）：特開2008-106353
出願日： 2007年09月06日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。【解決手段】成膜温度Ts(°C)と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Vs(V)と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。1種又は複数種のPb含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式(1)及び(2)、又は(3)及び(4)を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。400≦Ts(°C)≦475・・・(1)、20≦Vs(V)≦50・・・・・・(2)、475≦Ts(°C)≦600・・・(3)、Vs(V)≦40・・・・・・(4)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
プラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、 成膜温度Ts(°C)と、 成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Vs(V)と、 成膜される前記膜の特性との関係に基づいて、 成膜条件を決定することを特徴とする成膜方法。
IPC (10件)：
C23C 14/54 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/40 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  B41J 2/16
FI (12件)：
C23C14/54 B ,  C23C14/54 D ,  C23C14/08 K ,  C23C14/34 R ,  C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  B41J3/04 103H
Fターム (28件)：
2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB08 ,  4K029BC00 ,  4K029BD08 ,  4K029CA04 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC35 ,  4K029EA06 ,  4K029EA08 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030HA12 ,  4K030JA10 ,  4K030JA14 ,  4K030LA17
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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