特許
J-GLOBAL ID：200903000195659465
半導体デバイス、半導体デバイスアレイ、半導体生成物及び縦形半導体デバイスの作製方法並びにDRAM生成物の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082088
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330422
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 縦形半導体に関連する欠点を克服して、改善された手段を実現し、デバイスエリアサイズを小型化すると共に、デバイスサイズを過度に縮小せず、さらなるデバイス作製を制限しないデバイス技術を実現すること。【解決手段】 半導体デバイスにおいて、該半導体デバイスは、垂直方向に配向されており、垂直方向に配向されているゲート及び該垂直方向に配向されているゲートに結合されたワード線を有すること
請求項（抜粋）：
半導体デバイスにおいて、該半導体デバイスは、垂直方向に配向されており、下記の構成要件を有し、即ち、垂直方向に配向されているゲート;該垂直方向に配向されているゲートに結合されたワード線を有することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 671 A
, H01L 27/10 625 A
, H01L 27/10 681 A
