特許
J-GLOBAL ID：200903000202085038
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊藤 克博
, 小野 暁子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-121180
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324585
出願日： 2007年05月01日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】 本発明は、青色または紫外発光が可能な発光素子であって、高出力、高効率なフリップチップマウント型の半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 薄膜結晶層、第二導電型側電極27および第一導電型側電極28とを有し、主たる光取り出し方向が前記活性層構造から見てバッファ層側であり、電極28および電極27が、互いに空間的に重なりを有さずかつ光取り出し方向とは反対側に形成されており、電極28および電極27が接続され、発光素子を支持する支持体を有し、さらに、絶縁層、即ち(a)前記第一導電型側電極の主たる光取り出し方向側の一部に接し、前記第二導電型側電極の主たる光取り出し方向と反対側の一部を覆い、(b)前記薄膜結晶層の側壁面のうち、少なくとも前記第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型半導体層の側壁面を被覆している絶縁層を有する化合物半導体発光素子。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
バッファ層、第一導電型クラッド層を含む第一導電型半導体層、活性層構造、および第二導電型クラッド層を含む第二導電型半導体層をこの順序で有する化合物半導体薄膜結晶層と、第二導電型側電極と、並びに第一導電型側電極とを有し、主たる光取り出し方向が前記活性層構造から見てバッファ層側である化合物半導体発光素子であって、
前記第一導電型側電極および前記第二導電型側電極は、互いに空間的に重なりを有さずかつ前記主たる光取り出し方向とは反対側に形成されており;
前記第一導電型側電極および前記第二導電型側電極が接続され、前記発光素子を支持する支持体を有し;
前記発光素子の端において、前記薄膜結晶層の側壁面のうち少なくとも前記第一導電型半導体層、前記活性層構造および前記第二導電型半導体層は、製造工程中に装置間分離溝の形成により後退した後退側壁面を構成しており、
少なくとも、前記第一導電型半導体層、前記活性層構造および前記第二導電型半導体層の後退側壁面を覆う絶縁層であって、(a)前記第一導電型側電極の主たる光取り出し方向側の一部に接し、前記第二導電型側電極の主たる光取り出し方向と反対側の一部を覆い、かつ(b)前記薄膜結晶層の後退側壁面に対して、
(i)前記前記バッファ層の一部が、共に後退側壁面を構成しており、前記バッファ層の後退していない非後退側壁面との間で端部段差面を形成する形状であるときは、少なくとも、発光素子端から離れた位置から形成されている絶縁層を有し、または
(ii)前記バッファ層が共に後退側壁面を構成して端部段差面が存在しない形状のときは、前記バッファ層の少なくとも主たる光取り出し方向部分には形成されずに、前記バッファ層の途中から前記後退側壁面を被覆する絶縁層を有すること
を特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (23件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA76
, 5F041CA85
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CB11
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA20
