特許
J-GLOBAL ID：200903000223928035
撮像素子及び撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-118827
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277511
出願日： 2007年04月27日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】CMOSイメージセンサにおいて画素微細化に不利になることを回避できて、かつ、グローバル電子シャッターを採用することができる撮像素子及び撮像装置を提供する。【解決手段】本発明の撮像素子10は、光学素子基板部1の一方の面側から照射される入射光を光電変換することで信号電荷を発生させて、光学素子基板部1の他方の面側から読み出して撮像を行う構成であって、入射光を光電変換することで信号電荷を生じせしめるため、光学素子基板部1に形成された光電変換層と、光学素子基板部1の他方の面側に、光電変換層で生成された信号電荷を転送可能に接合されたCMOS回路基板部2とを備え、光電変換層に、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部25と、電荷蓄積部25に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出しトランジスタとが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光学素子基板部の一方の面側から照射される入射光を光電変換することで信号電荷を発生させて、前記光学素子基板部の他方の面側から読み出して撮像を行う撮像素子であって、
入射光を光電変換することで信号電荷を生じせしめるため、前記光学素子基板部に形成された光電変換層と、
前記光学素子基板部の前記他方の面側に、前記光電変換層で生成された信号電荷を転送可能に接合されたCMOS回路基板部とを備え、
前記光電変換層に、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を読み出すための読み出しトランジスタとが形成されていることを特徴とする撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118BA19
, 4M118CA03
, 4M118CA18
, 4M118CA32
, 4M118FA26
, 4M118FA33
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 5C024CX54
, 5C024EX52
, 5C024GX07
, 5C024GY31
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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