微小なドット又はラインを備えた低融点基板、マイクロプラズマによる堆積方法及び同装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-079483
公開番号（公開出願番号）：特開2005-262111
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】マイクロプラズマの径を可能な限り小さくし、その熱容量を低減させてプラズマジェット照射時の基板のダメージを防ぐと共に、金属等を溶融、蒸発又は気化させ、プラズマジェットと共に噴出させることにより、基板上に微小なサイズの金属等のドット及びラインを形成する。【解決手段】マイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料を、低融点基板上にドット状に堆積した直径1〜100μmの前記材料のドットを備えていることを特徴とする微小なドットを備えた低融点基板。石英管の中に堆積させるための材料及びプラズマガスを導入すると共に、石英管の外周に誘導コイルを配置し、この誘導コイルに高周波を印加して材料を溶融、蒸発又は気化させ、100μm以下の内径を有する石英管のキャピラリー先端から基板に向かって噴射させることを特徴とする基板上の微小な領域にドット又はラインを形成するマイクロプラズマによる堆積方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

マイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料を、低融点基板上にドット状に堆積した直径1〜100μmの前記材料のドットを備えていることを特徴とする微小なドットを備えた低融点基板。

IPC (5件)：

B05D3/04 , B05B7/22 , C23C14/04 , C23C14/26 , H01L21/02

FI (5件)：

B05D3/04 C , B05B7/22 , C23C14/04 Z , C23C14/26 B , H01L21/02 Z

Fターム (21件)：

4D075AC92 , 4D075AC96 , 4D075BB22X , 4D075BB85Y , 4D075BB93X , 4D075DA06 , 4D075DB13 , 4D075DB47 , 4D075EA02 , 4D075EB01 , 4D075EB57 , 4F033QA01 , 4F033QG06 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA09 , 4K029BB03 , 4K029CA01 , 4K029DB19 , 4K029EA08

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭47-34132号公報

審査官引用 (4件)

微細パターン接続用回路部品およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-372978 出願人：旭化成株式会社
接触状態観察方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-005733 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
加工方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-029233 出願人：松下電器産業株式会社

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