特許
J-GLOBAL ID：200903022742335592

発光素子

発明者：
田村 彰良

田村 彰良 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-045505
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237460
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 ZnOを活性層として用い、全酸化物半導体ヘテロ構造からなるpn接合を有する紫外域、可視域の発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板1の(0001)面上に、n型Zn0.8Mg0.2O層2を形成し、n型Zn0.8Mg0.2O層2の上に選択的にn型ZnO層3を形成し、n型ZnO層3の上にp型Zn0.75Ni0.25O層4を形成し、露出されたn型Zn0.8Mg0.2O層2の上およびp型Zn0.75Ni0.25O層4の上に、それぞれAuからなるオーミック電極5、6を形成することにより、ダブルヘテロ構造によるpn接合が形成でき紫外域の発光素子を実現できる。
請求項（抜粋）：
活性層となるZnO層が、一導電型のZnMgO層および前記ZnMgO層とは逆の導電型のZnNiO層との間に形成されていることを特徴とする発光素子。
FI (3件)：
H01L 33/00 D ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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