特許
J-GLOBAL ID：200903000277120807
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145533
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340337
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 高速動作が可能でかつ費電力の低減を図ることが可能な相補型の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 nMOSトランジスタ15aが設けられた基板の表面領域は、シリコン基板1上に、上層に向かってゲルマニウム濃度が徐々に高められたシリコンゲルマニウムからなるバッファ層2、バッファ層2の表面層と同程度のゲルマニウム濃度を有するシリコンゲルマニウムからなるリラックス層3、ストレイン効果を有するシリコン層7aを順に形成してなり、シリコン層7aにソース・ドレイン13aが設けられている。pMOSTr.15bが設けられた基板の表面領域は、シリコン基板1上にストレイン効果を有するシリコンゲルマニウム層6、シリコンからなるキャップ層7bが設けられ、シリコンゲルマニウム層6にソース・ドレイン13bが設けられている。
請求項（抜粋）：
nチャンネル型電界効果トランジスタとpチャンネル型電界効果トランジスタとを同一基板に設けてなる半導体装置において、前記nチャンネル型電界効果トランジスタが設けられた前記基板の表面領域は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成されたもので上層に向かってゲルマニウム濃度が徐々に高められたシリコンゲルマニウムからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたもので当該バッファ層の表面層と同程度のゲルマニウム濃度を有するシリコンゲルマニウムからなるリラックス層と、前記リラックス層上に形成されたシリコン層とからなり、前記pチャンネル型電界効果トランジスタが設けられた前記基板の表面領域は、前記シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成されたシリコンゲルマニウム層と、前記シリコンゲルマニウム層上に形成されたシリコンからなるキャップ層とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/78
H01L 27/08 321 B
, H01L 29/78 301 X
