特許
J-GLOBAL ID：200903013122104621

半導体装置

発明者：
前田 就彦

前田 就彦 について

, 
小林 直樹

小林 直樹 について

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西田 敏夫

西田 敏夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056529
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261051
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】Al<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N/GaNよりなる組成のヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、チャネルに誘起可能な2次元電子濃度を増大させることを意図して行うAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N障壁層のAl組成Xの増大に際して、発現する電子移動度の著しい低下を阻止あるいは大幅に低減し、電子濃度と電子移動度との積を増大させることによってデバイスの高性能化・高出力化を行うことが可能な高電子移動度トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に作製したAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N/GaN(ただし、0<X≦1)よりなる組成のヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、基板表面側に形成されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N障壁層の膜厚を格子緩和が生じない範囲となし、かつ、上記障壁層の基板に垂直な方向のAl組成を、該障壁層の一部もしくは全部において、連続状もしくは階段状にAl組成を変調させた領域を設ける。
請求項（抜粋）：
基板上に作製したAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N/GaN(ただし、0<X≦1)よりなる組成のヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、基板表面側に形成されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>l-x</SB>N障壁層の膜厚を格子緩和が生じない範囲となし、かつ、上記障壁層の基板に垂直な方向のAl組成を、該障壁層の一部もしくは全部において、連続状もしくは階段状にAl組成を変調させた領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
引用特許：
審査官引用 (8件)
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