特許

J-GLOBAL ID：200903000300874938

半導体装置の製造方法

発明者： 伏田 篤郎 ,  後藤 賢一 ,  山崎 辰也 ,  助川 孝江 ,  加勢 正隆 ,  佐久間 崇 ,  岡崎 圭輔 ,  大田 譲 ,  高木 英雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058865
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251967
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】サリサイドプロセスを有する半導体装置の製造方法に関し、底面でスパイクが生じ難いコバルトシリサイド層を形成すること。【解決手段】シリコンよりなる不純物拡散層9の上層部にイオン注入により非晶質層11を形成し、さらにコバルト膜12を不純物拡散層9の上に形成した後に、1回目の熱処理によりコバルト膜12と不純物拡散層9内のシリコンとを反応させてその非晶質層11の上層部に低温でCoSi又はCo2Si よりなるコバルトシリサイド層14を形成し、続いて未反応のコバルトを除去し、ついで2回目の熱処理によってコバルトシリサイド層14を構成するCoSi又はCo2Si をCoSi2 に変化させて低抵抗化するとともに、コバルトシリサイド層14を初期の非晶質層11の深さと同じかそれよりも深く入り込ませる工程を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン層の上層部に不純物を導入し、熱処理により不純物拡散層を形成する工程と、前記不純物拡散層の上層部に元素をイオン注入することにより非晶質層を形成する工程と、前記非晶質層の上にコバルト膜を形成する工程と、前記コバルト膜と前記不純物拡散層を第1の温度により加熱して、前記非晶質層の上層部にCo2Si 又はCoSiよりなるコバルトシリサイド層を形成する工程と、前記不純物拡散層内のシリコンと反応しなかった前記コバルト膜を除去する工程と、前記コバルトシリサイド層及び前記不純物拡散層を第2の温度により加熱することにより、前記Co2Si 又はCoSiをCoSi2 に変化させるとともに、前記コバルトシリサイド層を前記非晶質層と同じ深さまたは前記非晶質層より深く形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-041758   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331716   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-283677   出願人：株式会社東芝