特許
J-GLOBAL ID:200903000319981573
光電変換素子
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-164824
公開番号(公開出願番号):特開2007-335197
出願日: 2006年06月14日
公開日(公表日): 2007年12月27日
要約:
【課題】優れた封止性を有しつつ、素子の軽量化を図ることが可能な光電変換素子を提供すること。【解決手段】本発明の光電変換素子10は、導電性の第一基材11からなる対極12と、絶縁性の透明な第二基材13と、該第二基材の一面に透明導電膜14を介して配され、少なくとも一部に色素を担持した多孔質酸化物半導体層15とを備え、該多孔質酸化物半導体層が前記第一基材の一面と対向して配される作用極16と、前記対極と前記作用極との間の少なくとも一部に配された電解質層17と、から構成され、前記第一基材は、前記第二基材と重なり略同一の面形状を有し、前記前記第一基材と前記第二基材の側面部を被覆するように封止材18を配したことを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性の第一基材からなる対極と、
絶縁性の透明な第二基材と、該第二基材の一面に透明導電膜を介して配され、少なくとも一部に色素を担持した多孔質酸化物半導体層とを備え、該多孔質酸化物半導体層が前記第一基材の一面と対向して配される作用極と、
前記対極と前記作用極との間の少なくとも一部に配された電解質層と、から構成され、
前記第一基材は、前記第二基材と重なり略同一の面形状を有し、前記前記第一基材と前記第二基材の側面部を被覆するように封止材を配したことを特徴とする光電変換素子。
IPC (3件):
H01M 14/00
, H01L 31/04
, H01M 2/08
FI (3件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
, H01M2/08 Z
Fターム (20件):
5F051AA14
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5F051GA03
, 5F051HA20
, 5H011AA03
, 5H011AA17
, 5H011DD21
, 5H011FF02
, 5H011GG01
, 5H011HH02
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032CC04
, 5H032CC16
, 5H032EE04
, 5H032EE07
, 5H032EE16
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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