特許
J-GLOBAL ID:200903000342359626
光電変換素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-181399
公開番号(公開出願番号):特開2006-004827
出願日: 2004年06月18日
公開日(公表日): 2006年01月05日
要約:
【課題】高い電解質保持特性と発電特性とを有し、長期間に渡って電解質の漏洩を防止でき、安全性及び高耐久性を有する光電変換素子を提供する。【解決手段】色素を担持した半導体層4が被着された透明電極3と、透明電極3の半導体層4と対峙する対電極7と、透明電極3と対電極7との間に配置された枠状の封止部と、前記枠状の封止部の内側であって透明電極3と対電極7との間に保持された電解質層とを備え、前記封止部は、電解質層を透明電極3と対電極7との間に注入するための電解質注入部10を備え、電解質注入部10は、封止材で封止されている光電変換素子とする。【選択図】図4
請求項(抜粋):
色素を担持した半導体層を有する第1の電極を備えた第1の基板と、前記第1の電極の半導体層と対峙する第2の電極を備えた第2の基板とを、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電解質を保持した状態で対向させてなる光電変換素子であって、
前記電解質を前記第1の電極と前記第2の電極との間に保持するための封止部が、前記電解質の周囲に形成され、
前記封止部は、封止材で封止された電解質注入部を備えていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (17件):
5F051AA14
, 5F051BA18
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA08
, 5F051GA03
, 5F051GA05
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032AS19
, 5H032BB04
, 5H032BB10
, 5H032CC02
, 5H032CC04
, 5H032EE04
, 5H032HH05
, 5H032HH06
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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