窒化物半導体層の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230344
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053593
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を800°Cから1200°Cの範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

サファイア基板の一主面を窒化処理し、前記窒化処理された前記主面上に窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴とする窒化物半導体層の形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , C30B 29/38 , C30B 25/18 , C23C 16/02 , C23C 16/34 , H01L 21/318

FI (9件)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , C30B29/38 D , C30B25/18 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/318 B , H01L21/318 M

Fターム (57件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TA06 , 4G077TB05 , 4G077TC01 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F058BA06 , 5F058BB06 , 5F058BC09 , 5F058BF56 , 5F058BF64 , 5F173AG11 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP06 , 5F173AP24 , 5F173AQ12 , 5F173AQ16 , 5F173AR84 , 5F173AR92

引用特許：

出願人引用 (1件)

金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-586402 出願人：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア

審査官引用 (2件)

非極性a面窒化物半導体単結晶基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-136017 出願人：三星コーニング株式会社
III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-111932 出願人：シャープ株式会社

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