特許
J-GLOBAL ID：200903000397864583

プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置

発明者：
大國 充弘

大國 充弘 について

, 
松永 啓一

松永 啓一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-180739
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005381
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】 微細なメタルゲート電極であっても、安定したエッチングを行うことができるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】 まず、チャンバ1の内壁に被覆膜が形成される。次に、当該被覆膜が形成された状況下で、ウエハ7のエッチング処理が行われ、その後当該エッチング処理の過程で上記被覆膜上に付着した反応生成物が、上記被覆膜とともにエッチング除去される。そして、これら各工程が、上記エッチング処理が開始される時のチャンバ内壁の状態が、常に、略同一となる頻度で実施される。これにより、例えば、上記被覆膜の除去を、1つの被加工体のエッチング処理が終了する度に行うことで、チャンバ内が常に同一の状態で、被加工体のエッチング処理を行うことが可能となる。このため、微細なパターンを形成するエッチング処理であっても、再現性のよい、安定した加工を行うことができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
チャンバ内に維持されたプラズマにより、被加工体のエッチング処理を行うプラズマエッチング方法において、 前記チャンバの内壁に被覆膜を形成するステップと、 前記被覆膜が形成された状況下で、被加工体のエッチング処理を行うステップと、 前記エッチング処理の過程で前記被覆膜上に付着した反応生成物を、前記被覆膜とともにエッチング除去するステップとを有し、 前記エッチング処理を開始する時のチャンバ内壁の状態を、常に、略同一にすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/321
FI (3件)：
H01L21/302 104C ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 D
Fターム (32件)：
4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  5F004AA01 ,  5F004BB30 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004EA21 ,  5F004EA22 ,  5F004EB02 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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