抵抗変化型素子および抵抗変化型素子抵抗スイッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：吉田稔 , 田中達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-036333
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205007
出願日： 2007年02月16日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】高抵抗状態と低抵抗状態の間の抵抗値差が過度に小さくなるのを回避するのに適した抵抗変化型素子、および、そのような素子の抵抗スイッチング方法を提供する。【解決手段】本発明の抵抗変化型素子X1は、例えば、電極1と、光透過性を有する電極2と、酸化物層3とを備える。酸化物層3は、電極2に酸素イオン5を供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、電極2から酸素イオン5を受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。電極2は、酸化物層3から酸素イオン5を受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層3に酸素イオン5を供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。本発明の抵抗スイッチング方法は、高抵抗状態にある抵抗変化型素子X1に対して電極2側から光Lを照射しつつ、電極1,2を各々正極および負極として当該電極間に電圧を印加する工程(d)を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1電極と、光透過性を有する第2電極と、前記第1および第2電極の間に位置し且つ前記第2電極に接する酸化物層と、を含む積層構造を有し、前記酸化物層は、前記第2電極に酸素イオンを供与して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記第2電極から酸素イオンを受容して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、前記第2電極は、前記酸化物層から酸素イオンを受容して低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記酸化物層に酸素イオンを供与して高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である、抵抗変化型素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 A , H01L49/00 Z

Fターム (10件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (5件)

国際公開第2003/094227号パンフレット
抵抗変化型メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-059927 出願人：松下電器産業株式会社
抵抗変化機能体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074113 出願人：シャープ株式会社, 辻博司, 石川順三

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