特許
J-GLOBAL ID：200903061562066947
抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-355896
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123361
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 シリコン基板を用いた場合にも、抵抗変化材料と基板や金属電極との間に反応等が生じるのを防止することができ、良好な電気特性を得ることができる抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板等の基板11上に密着層12を介してPt等からなる金属電極13を形成し、その上に導電性酸化物層14を介して抵抗変化層15を形成し、その上にAu等からなる金属電極16を形成することにより抵抗変化型不揮発性メモリを構成する。抵抗変化層15の材料としては例えばCrを0.01〜10モル%ドープしたSrTiO3 またはSrZrO3 を用い、導電性酸化物層14の材料としては例えばLaドープSrTiO3 を用いる。導電性酸化物層14および抵抗変化層15は有機金属分解法によって形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上の第1の電極と、
上記第1の電極上の導電性酸化物層と、
上記導電性酸化物層上の抵抗変化層と、
上記抵抗変化層上の第2の電極とを有する
ことを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083HA10
, 5F083JA14
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083PR21
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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