特許
J-GLOBAL ID：200903000507819651
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122321
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317395
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 窒素原子を含む被エッチング膜上に化学増幅型レジストを用いてパターン形成するに際し、スループットの低下を来すこと無く、またレジスト処理までの引き置き時間が長くなったり、再工事が必要となった場合でもレジスト露光時に発生するプロトン酸が失活する現象を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板上に、窒素原子を含む被エッチング膜を形成する工程、該被エッチング膜上に化学増幅型フォトレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜をパターン状に露光する工程、該露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記被エッチング膜形成の最終段階で被エッチング膜中に実質的に窒素原子が含まれない条件で形成する。
請求項（抜粋）：
下地基板上に、窒素原子を含む被エッチング膜を形成する工程、該被エッチング膜上に化学増幅型フォトレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜をパターン状に露光する工程、該露光されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、前記被エッチング膜形成の最終段階で被エッチング膜中に実質的に窒素原子が含まれない条件で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/40 521
, H01L 21/027
, H01L 21/3213
H01L 21/302 N
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/88 D
