外部共振器半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321812
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162495
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】外部温度が変化すると、半導体レーザのゲインがピークとなる波長が変化するため、回折波長で発振しなくなる場合もあった。【解決手段】外部共振器半導体レーザの半導体発光素子は、バンドギャップエネルギーの相異なる活性領域を備える。これにより、各活性領域から発光中心波長の異なる光が発せられるため、出射光全体でのゲイン幅を広げる。

請求項（抜粋）：

高い反射率を有する反射面及びこの反射面に比べて低い反射率を有する出射面を有する半導体発光素子と、前記出射面から出射された光が入射すると共に、この入射した光のうち特定波長の光を反射する回折格子が形成された光ファイバとを備え、前記特定波長の光が前記反射面と前記回折格子との間で繰り返し反射することで、レーザ発振を行う外部共振器半導体レーザにおいて、前記半導体発光素子は、所定の帯域内に分散する複数の発光波長を得るべく、バンドギャップエネルギーの相異なる活性領域を備えたことを特徴とする外部共振器半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , H01S 3/08

FI (3件)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , H01S 3/08 Z

引用特許：

審査官引用 (8件)

面発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-175607 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-315717 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-257385

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