半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048524
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250718
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】二重拡散構造でかつゲート電極を有する半導体装置において製造後に個々の入出力特性を容易に調整できることを特徴とする。【構成】N- 型の基板11の表面にはP型のチャンネルウェル13が設けられ、このチャンネルウェル13内にはN+ 型のソース領域15が設けられている。さらに、このチャンネルウェル13上にはゲート酸化膜17を介してゲート電極18が設けられ、このゲート酸化膜17内において、ソース領域15と接する側のチャンネルウェル13の一部領域に対応した位置には、電位的に浮遊状態にされたフローティングゲート電極19が設けられている。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、上記半導体基板の主面に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、上記第1半導体領域の主面に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、ゲート酸化膜を介して上記第1半導体領域上に設けられた第1のゲート電極と、記ゲート酸化膜内で上記第2半導体領域と接する側の上記第1半導体領域の一部領域に対応した位置に設けられた電位的に浮遊状態の第2のゲート電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 321 J , H01L 29/78 371

引用特許：

出願人引用 (9件)

特表昭60-501187
特開昭53-117982
特開昭64-076769

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審査官引用 (9件)

特表昭60-501187
特開昭53-117982
特開昭64-076769

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