特許
J-GLOBAL ID：200903000580953668

半導体装置の製造方法

発明者：
斉藤 卓

斉藤 卓 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-272387
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111636
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の製造方法におけるイオン注入工程において、金属シリサイドから金属がスパッタされることによるコンタミネーションを防止する。【解決手段】 半導体基板1の上におけるLOCOS酸化膜5以外の部分にnウェル6とpウェル7とを各々形成し、ゲート酸化膜8を介してpウェル7の上へポリシリコン膜9とWSi膜10とからなるゲート電極11を形成し、有機化合物からなる薄膜20Aを形成し、所望のレジストパターン12を形成する。次に、半導体基板1に対してAs+ イオン14をイオン注入し、pウェル7内においてnチャネルトランジスタのソースドレイン領域13を形成する。次に、レジストパターン12と薄膜20Aとを除去する。次に、コンタクトホールを有するBPSG膜15を形成し、該コンタクトホールに層間接続用金属16を、BPSG膜15の上へ金属配線17を同時に形成し、更にパッシベーション膜18を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板へイオン注入することによって半導体装置を製造する製造方法であって、前記半導体基板の上へ有機物からなる薄膜を形成する工程と、前記薄膜に対してイオンを通過させることによって前記半導体基板へイオン注入する工程と、前記イオン注入後に前記薄膜を除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/265 H ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 301 S
引用特許：
審査官引用 (3件)

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