特許
J-GLOBAL ID：200903000586227519
光半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-319279
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129011
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】放熱を良好に行うことができ、且つ面発光型半導体レーザの静電破壊耐圧を向上させることができる光半導体素子を提供する。【解決手段】光半導体素子1は、半導体基板SB上に半導体多層膜L11、分離層SP、及び半導体多層膜L12が順に積層されており、半導体多層膜L11に形成された静電耐圧素子10と、半導体多層膜L11の上方に位置する半導体多層膜L12に形成された面発光型半導体レーザ20とを含んで構成される。面発光型半導体レーザ20が形成される半導体多層膜L12には、面発光型半導体レーザ20に流れる電流を狭窄する電流狭窄部25が形成されている。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板表面に直交する方向にレーザ光を射出する面発光型半導体レーザを前記基板の上方に備える光半導体素子において、
前記面発光型半導体レーザと、前記面発光型半導体レーザに流れる電流を狭窄する電流狭窄部を形成するための孔とが形成された第1半導体多層膜と、
前記第1半導体多層膜の上方又は下方に位置し、前記面発光型半導体レーザを静電破壊から保護する静電耐圧素子が形成された第2半導体多層膜と
を備えることを特徴とする光半導体素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AD30
, 5F173AG20
, 5F173AH02
, 5F173AK22
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR72
, 5F173AR96
