半導体光集積回路およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199287
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027658
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】能動領域及び受動領域での光損失が少なく、両領域間の結合係数の高いデバイスを提供する。素子容量を少なくして高速動作を可能ならしめる。【構成】 n-InP基板1の表面に、能動領域では広く、受動領域では狭い、間隙幅が一定のSiO2 膜からなるマスクを形成する。マスクに挟まれた導波領域に、MOVPE法により、n-InGaAsPガイド層2、アンドープInGaAsP光導波層3a、p-InPクラッド層4からなる導波構造を選択成長させる。再びSiO2 膜を用い、能動領域ではp-InPクラッド層4の表面にマスクを形成し、受動領域では、導波構造を挟むように一対のマスクを形成し、高抵抗InP層11aを成長させる。更に、能動領域に、p-InP層5、p-InGaAsコンタクト層6を選択成長させ、SiO2 膜21を形成し、窓開けしてp側電極22を形成し、基板裏面にn側電極23を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上の第1の領域に第1の光導波層がメサ状に形成され、第2の領域に第1の光導波層よりバンドギャップエネルギーの大きい材料からなる第2の光導波層が第1の光導波層に連続して形成されている半導体光集積回路において、前記第1の光導波層の側面および前記第2の光導波層の上面が高抵抗半導体層によって被覆され、かつ、前記第1の光導波層の上面が第2導電型半導体層によって被覆されていることを特徴とする半導体光集積回路。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 27/15

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 27/15 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-018078
特開昭63-226989
特開昭62-193189

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