特許
J-GLOBAL ID：200903000650523607

半導体装置

発明者：
三輪 清尚

三輪 清尚 について

, 
刈谷 奈由太

刈谷 奈由太 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-287792
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156960
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置のSi基板120上には、フィールド酸化膜101が設けられている。フィールド酸化膜101上には、2本のヒューズ104が設けられている。Si基板120のうちヒューズ104の直下には、n型ウェル102が設けられている。n型ウェル102は、Si基板120のうちヒューズ104の直下の領域を囲む姿態にp型ウェル103が設けられている。Si基板120およびフィールド酸化膜101の上部には、絶縁膜105およびカバー絶縁膜108が設けられている。絶縁膜105およびカバー絶縁膜108には、ヒューズ104を囲むように、コンタクト106および配線107からなるシールリングが埋設されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられている絶縁層と、 前記絶縁層上に設けられているヒューズと、 前記半導体基板のうち前記ヒューズ直下に設けられているn型ウェルと、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/82 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (2件)：
H01L21/82 F ,  H01L21/88 S
Fターム (31件)：
5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR15 ,  5F033VV00 ,  5F033VV11 ,  5F033XX18 ,  5F064BB35 ,  5F064DD48 ,  5F064EE22 ,  5F064EE27 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF42 ,  5F064GG01 ,  5F064GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 特開昭64-080037
  • ヒューズ装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-029798   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224207   出願人：富士通株式会社

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