特許
J-GLOBAL ID：200903000664654143
EUVレチクルサーマルマネージメントシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-395889
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237181
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】レチクルの熱歪を実質的に除去する、ホトリソグラフィック装置/ツールに使用されるサーマルマネージメント装置。扁平な冷却エレメントがEUV電磁放射が照射されるレチクルに隣接配置される。加熱エレメントが電磁放射によるレチクルの露光の前に熱を供給し、システムは熱平衡状態にある。EUV電磁放射による露光に基づいてレチクルによる吸収が熱を引き起こす。加熱エレメントは発生熱を低減すべく制御され、放射吸収が原因で露光期間中にレチクル内に発生される外部熱負荷が補償される。【効果】レチクルはもはや加熱/熱エネルギー変化を受けず、ひいてはレチクル内の膨張/熱勾配はいずれも除去/著しく低減される。レチクルの熱勾配の低減は歪みを低減するので、感光性基板に対するレチクルのイメージングは改善される。本発明は半導体/電子装置の製造に使用される走査形ホトグラフィックシステムに適する。
請求項（抜粋）：
ホトリソグラフィーに使用されるレチクルサーマルマネージメントシステムであって、レチクルに隣接配置されている加熱エレメントを備え、該加熱エレメントに隣接して形成される照射アパーチャを備え、前記加熱エレメントに接続されているコントロール部を備え、ここで前記コントロール部は前記加熱エレメントを選択的に制御して、照射されていないときにレチクルに熱が供給されるようにして、レチクルが照射されているときの電磁放射の吸収を補償するレチクルサーマルマネージメントシステム。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
G03F 7/20 521
, H01L 21/30 516 E
, H01L 21/30 531 M
