特許
J-GLOBAL ID:200903000680903480

3次元半導体チップ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-136656
公開番号(公開出願番号):特開2002-334968
出願日: 2001年05月07日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】 キュービックチップ、スーパーキューブ等の3次元半導体チップの放熱効率を高める。【解決手段】 薄膜状のLSIチップ10、20を3次元的に貼り合わせて集積した3次元半導体チップ1において、LSIチップ10、20の基板に、3次元半導体チップ1の外に通じる溝17、27を形成し、その溝17、27に放熱用材料18、28を埋め込む。
請求項(抜粋):
薄膜状のLSIチップを3次元的に貼り合わせて集積した3次元半導体チップにおいて、LSIチップの基板の裏面に溝が3次元半導体チップ外に通じるように形成され、その溝に放熱用材料が埋め込まれていることを特徴とする3次元半導体チップ。
IPC (8件):
H01L 25/065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/12
FI (5件):
H01L 27/00 301 H ,  H01L 27/12 B ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 27/08 102 E ,  H01L 21/88 S
Fターム (14件):
5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033MM01 ,  5F033MM30 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033XX22 ,  5F048AA01 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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