特許
J-GLOBAL ID:200903000680903480
3次元半導体チップ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田治米 登 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-136656
公開番号(公開出願番号):特開2002-334968
出願日: 2001年05月07日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【課題】 キュービックチップ、スーパーキューブ等の3次元半導体チップの放熱効率を高める。【解決手段】 薄膜状のLSIチップ10、20を3次元的に貼り合わせて集積した3次元半導体チップ1において、LSIチップ10、20の基板に、3次元半導体チップ1の外に通じる溝17、27を形成し、その溝17、27に放熱用材料18、28を埋め込む。
請求項(抜粋):
薄膜状のLSIチップを3次元的に貼り合わせて集積した3次元半導体チップにおいて、LSIチップの基板の裏面に溝が3次元半導体チップ外に通じるように形成され、その溝に放熱用材料が埋め込まれていることを特徴とする3次元半導体チップ。
IPC (8件):
H01L 25/065
, H01L 21/3205
, H01L 21/8234
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 27/00 301
, H01L 27/088
, H01L 27/12
FI (5件):
H01L 27/00 301 H
, H01L 27/12 B
, H01L 25/08 Z
, H01L 27/08 102 E
, H01L 21/88 S
Fターム (14件):
5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033MM01
, 5F033MM30
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033XX22
, 5F048AA01
, 5F048AB01
, 5F048AB03
, 5F048CB02
, 5F048CB03
, 5F048CB04
引用特許:
審査官引用 (5件)
-
電子モジュール
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-236351
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-264799
出願人:三菱電機株式会社
-
半導体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-333046
出願人:株式会社東芝
全件表示
前のページに戻る