特許

J-GLOBAL ID：200903000780786669

半導体装置の組立方法およびIII-V族半導体装置

発明者： スティーブン・ディー・レスター ,  チャング・チェン
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193430
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053012
出願日： 2000年06月27日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】結晶基板上に厚いあるいは高不純物濃度のIII-V族の半導体膜を亀裂無く堆積する。【解決手段】基板(31)上に粗面を設け、該粗面上にIII-V族の半導体材料からなる層(33)を堆積する。

請求項（抜粋）：

基板上にIII-V族の半導体材料からなる層(33)を堆積する方法であって:基板に粗面を設ける工程;および、前記粗面上に前記半導体材料を堆積する工程を含む半導体装置の組立方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-170015
  
• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-056047   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-335591   出願人：三菱電線工業株式会社
• 3-5族化合物半導体結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-030067   出願人：住友化学工業株式会社