特許

J-GLOBAL ID：200903000783703802

半導体メモリ素子

発明者： 神田 直樹 ,  平谷 正彦 ,  國友 正人 ,  古川 亮一 ,  山本 裕彦 ,  高橋 雅人 ,  植村 俊雄 ,  尾形 潔
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016624
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216360
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】δ相Ta2O5を高誘電体膜として用いた半導体メモリ素子を提供する。【解決手段】誘電率の高いδ相Ta2O5をキャパシタに適用すると高集積大容量のDRAMが実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該基板の主面に形成されたMISFETと、該MOSFETのソース又はドレインとして機能する半導体領域に電気的に接続された容量素子より構成される半導体メモリ素子において、該容量素子が少なくとも酸化物誘電体薄膜と該誘電体薄膜の両面に接する下部電極及び上部電極とから構成され、該酸化物誘電体薄膜としてTa2O5低温相を用いたことを特徴とする半導体メモリ素子。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01B 3/12 312

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01B 3/12 312 ,  H01L 27/04 C

Fターム (24件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083JA06 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5G303AA01 ,  5G303AA10 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316264   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体装置の製造方法及びその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-149982   出願人：株式会社東芝
• 五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-006224   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 改善された誘電特性を有する薄膜タンタル酸化物層及びそのような層を用いた容量の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-126139   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド