特許
J-GLOBAL ID：200903000801196506

強誘電体記憶素子および強誘電体記憶素子の製造方法

発明者：
坂巻 和男

坂巻 和男 について


出願人/特許権者：
日本プレシジョン・サーキッツ株式会社

日本プレシジョン・サーキッツ株式会社 について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-119078
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308284
出願日： 2000年04月20日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体記憶素子において、強誘電体薄膜が、半導体製造装置でよく使用されるシラン系ガスを用いた成膜プロセスや水素を用いたシンタリング工程の還元雰囲気中での熱処理により、金属に還元されて劣化するという問題点がある。【解決手段】 水素を吸蔵するTi(チタン)(9)と酸化膜 (8)の積層で、強誘電体薄膜(4)の少なくとも一部を覆う構造を持つ強誘電体記憶素子を提供する。また、水素を吸蔵するTi(9)と酸化膜(8)および(8’)の積層で強誘電体薄膜(4)の少なくとも一部を覆い、さらに水素の拡散係数が小さいBPSG(boron phosphorus silicate glass)(12)の層間絶縁膜で覆う構造を有する強誘電体記憶素子を提供する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と強誘電体薄膜を有する強誘電体記憶素子であって、水素を吸蔵するTi膜と酸化膜の積層構造で前記強誘電体薄膜の少なくとも一部を覆うことを特徴とする強誘電体記憶素子。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Fターム (25件)：
5F001AA17 ,  5F001AF07 ,  5F001AG10 ,  5F001AG29 ,  5F001AG30 ,  5F083AD21 ,  5F083EP60 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083FR02 ,  5F083FR06 ,  5F083FR07 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR05 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BF03 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16
引用特許：
審査官引用 (5件)
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