特許
J-GLOBAL ID：200903074613121470
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-176654
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026722
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】DRAMに用いられるキャパシタの電極の形成方法の改善に関する。【解決手段】 半導体基板11上に下部電極19Aを形成する工程と、下部電極19A上に強誘電性を有する誘電体膜19Bを形成する工程と、誘電体膜19B上に上部電極19Fを形成する工程とを有するDRAMのキャパシタの製造方法であって、上部電極19Fを形成する工程は、誘電体膜19B上に第1の金属窒化膜19Cを形成する工程と、その上に水素吸蔵合金薄膜19Dを形成する工程と、その上に第2の金属窒化膜19Eを形成する工程とを有すること。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するDRAMのキャパシタであって、前記上部電極は、前記誘電体膜上に形成された第1の導電体膜と、前記第1の導電体膜上に形成された水素吸蔵合金薄膜と、前記水素吸蔵合金薄膜上に形成された第2の導電体膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 A
, H01L 29/78 371
