特許
J-GLOBAL ID：200903041382423783
キャパシタを備えた半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399598
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196551
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 パッシベーション工程で発生された水素がキャパシタ内部に拡散されることを効果的に防止することのできる、キャパシタを備えた半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 トランジスタとトランジスタ周辺に形成される第1絶縁膜116とからなる活性マトリックス110と、下部電極120Aと下部電極上に形成されるキャパシタ薄膜122A及びキャパシタ薄膜上に形成された上部電極124Aとからなり、第1絶縁膜上に形成されるキャパシタ構造150と、トランジスタとキャパシタ構造上とに形成される第2絶縁膜126と、トランジスタとキャパシタ構造とを電気的に接続し、第2絶縁膜上に形成される金属配線136と、水素拡散を防止するためにキャパシタ構造上に形成される水素拡散防止膜142とを含んでなる。
請求項（抜粋）：
トランジスタと前記トランジスタ周辺に形成される第1絶縁膜とからなる活性マトリックスと、下部電極と前記下部電極上に形成されるキャパシタ薄膜及び前記キャパシタ薄膜上に形成された上部電極とからなり、前記第1絶縁膜上に形成されるキャパシタ構造と、前記トランジスタと前記キャパシタ構造上とに形成される第2絶縁膜と、前記トランジスタと前記キャパシタ構造とを電気的に接続し、前記第2絶縁膜上に形成される金属配線と、水素拡散を防止するために前記キャパシタ構造上に形成される水素拡散防止膜とを含んでなることを特徴とするキャパシタを備えた半導体素子。
引用特許：
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