特許

J-GLOBAL ID：200903000849501602

半導体装置、薄膜トランジスタおよびそれらの製法

発明者： 大崎 三郎 ,  森田 浩正 ,  谷内 恵
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241671
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082681
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 従来のエッチング液を用いたウエットエッチングでもテーパ角の制御性がよく、ガラス基板面内のテーパ角の均一性のよい半導体装置の製法を提供する。【解決手段】 基板(ガラス基板)11上に金属膜12、a-Si膜14、絶縁膜15、および電極(電極配線)17を形成してなる半導体装置の製法であって、前記基板上に形成された前記金属膜の一部に不純物をイオン注入し、前記金属膜を選択的にエッチングで除去し、前記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含む。

請求項（抜粋）：

基板上に金属膜、a-Si膜、絶縁膜、および電極を形成してなる半導体装置の製法であって、前記基板上に形成された前記金属膜の一部に不純物をイオン注入し、前記金属膜を選択的にエッチングで除去し、前記金属膜の端部をテーパ状に形成する工程を含む半導体装置の製法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/306 T ,  H01L 21/306 Q ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 617 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-097372
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068227   出願人：旭硝子株式会社, 三菱電機株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-105485   出願人：株式会社金星社
• エッチング方法および不純物の活性化方法、シリコン層の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175361   出願人：セイコーエプソン株式会社