特許
J-GLOBAL ID：200903000854951322
窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-080410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261169
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 低結晶欠陥密度の高品質の単結晶の窒化物系III-V族化合物半導体を成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法およびこの成長方法を用いて製造される半導体装置を提供する。【解決手段】 サファイア基板などの窒化物系III-V族化合物半導体と異なる材料からなる基板1上にGaNなどの窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる場合に、基板1上にSiO2 膜やSiN膜などからなる成長マスク2を直接形成し、その上にMOCVD法などにより窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる。成長マスク2は、その表面の任意の点からその端までの最短距離が、窒化物系III-V族化合物半導体の成長に関与する原子または分子の拡散長よりも小さくなるように形成する。この方法を用いて半導体レーザ、発光ダイオード、FETなどを製造する。
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体を窒化物系III-V族化合物半導体と異なる材料からなる基板上に成長させるようにした窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法において、上記基板上に成長マスクを直接形成した状態で上記基板上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。
IPC (5件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01L 29/80 B
