特許
J-GLOBAL ID：200903046641053916
半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-031684
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232675
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】半導体レーザのBHストライプ構造を精度良くかつ歩留良く形成し、さらに利得領域を広くすることにより高出力化を図る。【解決手段】サファイア基板1上に半導体層3まで結晶成長した後、絶縁膜マスクを形成し、光導波層5を洗濯成長し不純物をドープした発光活性層を設け、次に超格子構造の光導波層13を設ける。その後、コンタクト層8を設け絶縁膜9を形成した後、p側電極10及びn側電極11を蒸着する。最後に、劈開して共振器面を切り出し、スクライブにより素子を分離する。【効果】本発明によれば、活性層ストライプ幅を従来の2倍以上に拡大して設定できるため、活性層の体積の増大による利得領域の拡大及び素子の高出力化が可能となる。これにより、青紫色波長域の短波長まで発振する窒化物半導体レーザにおいて低閾値化及び高出力化を達成した。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に設けた発光素子において、禁制帯幅が大きく屈折率の小さな材料により光導波層を構成し、禁制帯幅が小さく屈折率の大きな材料により発光活性層を構成しておき、該発光活性層は基板面に対して垂直方向においても水平方向においても該光導波層に埋め込まれた、活性層横方向に設けた実屈折率差によって導波される埋め込み型(BH: Buried Heterostructure)屈折率導波路構造を形成し、活性層横方向の実屈折率差が0.05から0.40の範囲であり、望ましくは0.10から0.30の範囲に設定してあり、この範囲において活性層横方向において該発光活性層と該光導波層の屈折率差を望ましくはできるだけ小さく設けておき、かつ少なくとも活性層縦方向において該発光活性層と該光導波層の禁制帯幅を望ましくはできるだけ大きく設けておき、特に伝導帯のポテンシャル深さを望ましくはできるだけ深くとってある異種二重ヘテロ接合構造としてあることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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