特許
J-GLOBAL ID：200903000884558307

高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法及びその装置並びにその製造プログラム

発明者：
田中 雅彦

田中 雅彦 について

, 
大石 明光

大石 明光 について


出願人/特許権者：
住友精密工業株式会社

住友精密工業株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 広明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-315472
公開番号（公開出願番号）：特開2008-126373
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】エッチングされた部分の側壁の侵食防止とマスクの枯渇防止を実現し、シリコン材料に対して高アスペクト比の開口を形成するためのエッチングマスクを提供する。【解決手段】ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつそのホール又はトレンチの少なくとも底面のシリコンが露出しているシリコン構造体上にCVD法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。その後、そのシリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程を行う。【選択図】図5D
請求項（抜粋）：
ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつ前記ホール又は前記トレンチの少なくとも底面のシリコンが実質的に露出しているシリコン構造体上にCVD法によりシリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜を形成する工程の後に前記シリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程とを含む 高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法。
IPC (3件)：
B81C 1/00 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
B81C1/00 ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/31 B
Fターム (20件)：
5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BD04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F004EB08 ,  5F004FA07 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC02 ,  5F045EN04 ,  5F045HA13
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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