特許

J-GLOBAL ID：200903000885138000

疎水性多孔質SOG膜の作製方法

発明者： 藤井 宣年 ,  玉川 孝一 ,  村上 裕彦 ,  中山 高博 ,  山川 洋幸
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (3件)： 東田 潔 ,  山下 雅昭 ,  打揚 洋次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-062879
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273786
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】疎水性機能を損なうことなく、かつ比誘電率への影響が小さく、機械的特性の向上を可能とする疎水性多孔質SOG膜の作製方法の提供。【解決手段】SOG膜の熱処理を酸素含有ガスの存在下で行って疎水性多孔質SOG膜を作製する。この熱処理を、そのプロセスの所定の時期に導入した酸素分圧5E+3Pa以上の酸素含有ガス中で、300°C〜1000°Cの温度で行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

疎水性SOG膜の熱処理を酸素含有ガスの存在下で行って疎水性多孔質SOG膜を得ることを特徴とする疎水性多孔質SOG膜の作製方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/316 G ,  H01L21/90 Q

Fターム (10件)：

5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F058BA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-198964   出願人：ローム株式会社
• メゾポーラス酸化膜の形成方法及びデュアルダマシン構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-113148   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• PECVDキャッピングモジュールを含む低誘電率誘電体処理のための方法及び一体型装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-035825   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド