特許

J-GLOBAL ID：200903032235009689

半導体装置およびその製造方法

発明者： 奥 良彰
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198964
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017485
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 誘電率が低くかつ機械的強度の強い絶縁膜を提供する。また、半導体装置の微細化および高集積化に際しても配線層間の容量および配線間容量両方を低減することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 円柱状の空孔が周期的に配列された第1のポーラス構造ドメインと、基板表面に垂直な方向に層状の空孔が周期的に配列された第2のポーラス構造ドメインとが繰り返し配列されている無機絶縁膜を提供する。

請求項（抜粋）：

基板表面に形成され、2種以上の周期的ポーラス構造を有する無機絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/105

FI (5件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 K ,  H01L 21/90 V ,  H01L 27/10 444 B

Fターム (40件)：

5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033LL01 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR29 ,  5F033SS17 ,  5F033SS22 ,  5F033SS30 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05 ,  5F083GA03 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高結晶性シリカメソ多孔体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-309625   出願人：財団法人化学技術戦略推進機構
• PECVDキャッピングモジュールを含む低誘電率誘電体処理のための方法及び一体型装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-035825   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 情報入出力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-009348   出願人：ソニー株式会社
• 多孔性シリカ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-300720   出願人：旭化成株式会社