特許

J-GLOBAL ID：200903000895146655

成膜方法

発明者： 小椋 厚志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364056
公開番号（公開出願番号）：特開2002-167672
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】【課題】 成膜表面の段差形状によらずその表面に金属膜、金属酸化物膜および金属窒化物膜を制御性よく堆積する。【解決手段】 バブラー5内に有機金属原料としてTa[N(C2H5)2]46を収容し、ヒータ7で暖めながらH2ガス流して有機金属原料ガスを成膜室1内に輸送する。そしてヒータブロック2上の基板4上にTa膜を形成する。Ta酸化膜を形成する場合には、Ta[N(C2H5)2]4と共にO2を成膜室1内に供給する。またTa窒化膜を形成する場合には、Ta[N(C2H5)2]4と共にNH3を成膜室1内に供給する。

請求項（抜粋）：

成膜室内に、少なくとも1種若しくは複数種のM[N(C2H5)2]4(但し、Mは金属(Siを含む、以下同じ)元素)にて表される有機物原料を導入し、化学的気相成長(CVD)法にて、金属(合金を含む)膜、若しくは、金属化合物膜を堆積し、堆積後に堆積中の温度よりも高い温度にて熱処理を行うことを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/316 X

Fターム (33件)：

4K030AA00 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD45 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104HH13 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子のキャパシタ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-341904   出願人：現代電子産業株式会社
• アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-161493   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜作製方法および薄膜作製装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229392   出願人：アネルバ株式会社
• 特開昭61-069969